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Mid-Frequency 系列 - 300V - 1400V [15 - 40 kHz] PT（穿通型）IGBT
GenX3™ IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。 300V GenX3™ IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。 由于兼具高开关速度和低传导损耗，它为电源设计人员提供了开关应用的全新高价值选择。 这些UIS额定设备坚固可靠，可媲美多数坚固的电源MOSFET。600V GenX3™针对高电流应用进行了优化，这类应用需要高达200 kHz的软开关频率和40 kHz的硬开关频率。 这些器件采用了我们久经考验的打穿（PT）技术，该技术可提高浪涌电流性能、降低饱和电压及减少能量损失，为设计人员提供600V范围下开关应用的全新可行方案。1200V GenX3™采用了我们先进的打穿(PT)技术以降低饱和电压、减少开关损耗并提高浪涌电流性能。 这一不断扩增的产品线针对高压电源转换市场。为实现最优的产品选择，设计人员可从A3、B3和C3这三个子类别中进行选择。 这些分类可提供更高的系统设计灵活性，并让设计人员能够平衡开关频率、效率和成本等关键要求。
功能与特色:
高电流处理能力
国际标准包装
针对低导通和开关损耗进行了优化
超快反并联二极管（可选）
雪崩评级
方形RBSOA
300V范围内MOSFET的低成本替代选择
MOS栅极开启简单便捷
高频IGBT
应用:
电源逆变器
UPS
电机驱动器
SMPS
PFC电路
电池充电器
焊接机
灯镇流器
突入电流保护电路
直流斩波器
感应加热
太阳能系统逆变器
功率因数校正电路
不间断电源设备
开关模式电源
电机控制（ACAC/DC电机）
电容放电开关
