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产品介绍
Microsemi提供全系列的IGBT功率模块，具有不同的沟槽和场停止生成，可提供优化的开关和传导损耗性能。电源模块部件号清楚地标识了所采用的IGBT类型。新型沟槽5 IGBT系列是对美高精半导体IGBT功率模块产品的补充，是NPT IGBT的完美替代品。微半导体碳化硅分立器件和模块产品可被视为需要 20kHz 以上开关频率的应用的替代解决方案。
| 乙二醇双板态氮 | 模块代码 | 600V | 650V | 1200V | 开关损耗 | 传导损耗 | 硬切换 | 软开关 |
| 战壕3快速 | 亚太电信协会 | 175°摄氏度 | 不适用 | 150°C | 高 | 低至 ~1.7V | <30千赫 | <60千赫 |
| 海沟4 | 亚太电信协会 | 不适用 | 175°摄氏度 | 175°摄氏度 | 中等 | 中~1.8V | <40千赫 | <80千赫 |
| 快壕4 | 亚太电信协会 | 不适用 | 175°摄氏度 | 175°摄氏度 | 温和 | 中 ~1，95V | <50千赫 | <100千赫 |
| 壕沟5 | 亚太电信 | 不适用 | 175°摄氏度 | 不适用 | 低 | 低至 ~1，6V | <100千赫 | <200千赫 |
| 特征 | 效益 |
| 更高的功率密度 | 尺寸和成本降低 |
| 隔离式导电基板 | 出色的热管理 |
| 内部布线 | 更少的外部硬件 |
| 最小寄生 | 更高的性能和效率 |
| 最小输出连接 | 缩短装配时间 |
| 混合和匹配组件 | 优化损失 |
| 完整的工程解决方案 | 轻松升级 |
| 减少零件数量 | |
| 上市时间短 | |
| 知识产权保护 | |
| 整个系统改进 | 尺寸更小 |
| 更高的可靠性 | |
| 更高的效率 | |
| 成本更低 |
沟槽 5 IGBT 模块特性
同类******的硬开关频率范围为 30kHz 至 100kHz
高功率密度
更低的开关损耗
更低的传导损耗
在 20kHz 时，功率损耗比 Trench4 FAST 低 24%
650V击穿电压
无短路能力
采用 12mm 薄型和低杂散电感封装
铜基模块，具有更好的导热性和可靠性
内置NTC（温度传感器）
| 拓扑结构和连续电流 @ Tc=25ºC | SP1 封装 51.6x40.8x12mm | SP3F 封装 73.4x42.5x12mm | SP6P 封装 108x62x12mm | |
| 相位支腿 | 100安 | 断续器Q100A65T1G | ||
| 200A | 断续器Q200A65T3G | |||
| 提高 | 100安 | 断续器Q100DA65T1G | ||
| 200A | 亚太电信Q200DA65T3G | |||
| 麚 | 100安 | 断续器Q100SK65T1G | ||
| 200A | APTGTQ200SK65T3G | |||
| 双升压 | 100安 | 断续器Q100DDA65T3G | ||
| 全桥 | 100安 | 断续器Q100H65T3G | ||
| 三相支腿 | 50 安培 | 铂格Q50TA65T3G | ||
| 150安培 | 断续器Q150TA65TPG | |||
