18913062885
产品介绍
功率 MOS 8™ 是一系列高速、高电压 （500-1200 V） N 沟道开关模式功率晶体管，与上一代器件相比，具有更低的 EMI 特性和更低的成本。这些 MOSFET/ FREDFET 已针对额定功率高于 500 W 的高频、高压应用中的硬开关和软开关进行了优化。功率 MOS 8™ 系列是对静音开关进行广泛研究的结果。输入和反向传输电容值及其比率被设定为特定值，以实现安静的开关和最小的开关损耗。Power MOS 8™ 系列器件具有固有的安静开关特性，并联连接时稳定，效率非常高，并且比前几代器件成本更低。功率 MOS 7® 是一系列低损耗、高电压、N 沟道增强模式功率 MOSFET。功率 MOS 7® 通过显著降低 RDS（ON） 和 Qg 来解决导通损耗和开关损耗问题。功率 MOS 7® 结合了更低的导通损耗和开关损耗以及极快的开关速度。在某些应用中，功率MOS V®仍然可以在性能和成本之间提供******权衡。功率MOS V®采用低电阻铝金属栅极结构。与传统的多晶硅栅极结构相比，这允许更快的栅极信号传播。结果是内部芯片等效栅极电阻（EGR）极低，比竞争器件低一个数量级，从而在整个芯片上实现均匀的高速开关。
产品特点
低电容和低栅极电荷
由于内计电阻 （ESR） 低，开关速度快
在175摄氏度的高结温下稳定运行
快速可靠的体二极管
卓越的雪崩坚固性
符合 RoHS 标准
| 产品 | 漏源电压 ******值（V) | 导通电阻 [典型值] （mΩ） | 25°C 时的连续漏极电流 [I（D）] （******值） （A） | 结温（°C） [范围] | 封装类型 |
|---|---|---|---|---|---|
MSC025SMA120 | 1200 | 25 | 77-103 | -55 - 175°C | SOT-227， TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC040SMA120 | 1200 | 40 | 53-67 | -55 - 175°C | SOT-227， TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC080SMA120 | 1200 | 80 | 31-37 | -55 - 175°C | SOT-227， TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC015SMA070 | 700 | 15 | 126 – 141 | -55 – 175°C | TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC035SMA070 | 700 | 35 | 65-77 | -55 - 175°C | TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC060SMA070 | 700 | 60 | 37-39 | -55 - 175°C | TO-247， TO-247-4L， TO-263-7L， TO-268 |
MSC090SMA070 | 700 | 90 | 25-28 | -55 - 175°C | TO-247， TO-268 |
MSC035SMA170 | 1700 | 35 | 59-68 | -55 - 175°C | TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC750SMA170 | 1700 | 750 | 6-7 | -55 - 175°C | TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC017SMA120 | 1200 | 17.6 | 88-113 | -55 - 175°C | SOT-227， TO-247， TO-247-4L， TO-268 |
MSC025SMA330 | 3300 | 25 | 104 | -55 - 150°C | TO-247 |
MSC027SMA330 | 3300 | 25 | 104 | -55 - 150°C | TO-247 |
MSC180SMA120 | 1200 | 180 | 21 | -55 - 175°C | TO-247， TO-268 |
MSC360SMA120 | 1200 | 360 | 11 | -55 - 175°C | TO-247 |
MSC080SMA330 | 3300 | 80 | 41 | -55 - 150°C | TO-247-4L |
MSC400SMA330 | 3300 | 416 | 11 | -55 - 150°C | TO-247-4L |
